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参数资料
| 型号： | BAV199,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 121K |
| 描述： | DIODE SW DBL 75V 160MA SOT23 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5nA @ 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 160mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 反向恢复时间(trr)： | 3µs |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1508 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 568-1619-6 |
2001 Oct 12 2
NXP Semiconductors
Product data sheet
Low-leakage double diode BAV199
FEATURES
?
Plastic SMD package
?
Low leakage current: typ. 3
pA
?
Switching time: typ. 0.8
μs
?
Continuous reverse voltage:
max.
75
V
?
Repetitive peak reverse voltage:
max.
85
V
?
Repetitive peak forward current:
max. 500
mA.
APPLICATION
?
Low-leakage current applications in
surface mounted circuits.
DESCRIPTION
Epitaxial, medium-speed switching,
double diode in a small SOT23 plastic
SMD package. The diodes are
connected in series.
MARKING
Note
1.
?
=
p: Made in Hong Kong.
?
=
t: Made in Malaysia.
?
=
W: Made in China.
TYPE NUMBER
MARKING
CODE(1)
BAV199
JY?
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
anode
2
cathode
3
anode; cathode
Fig.1 Simplified outline (SOT23) and symbol.
handbook, 4 columns
21
3
Top view
MAM107
21
3
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC
60134).
Note
1. Device mounted on a FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
Per diode
VRRM
repetitive peak reverse voltage
?
85
V
VR
continuous reverse voltage
?
75
V
IF
continuous forward current
single diode loaded; note
1; see
Fig.2
?
160
mA
double diode loaded; note
1; see
Fig.2
?
140
mA
IFRM
repetitive peak forward current
?
500
mA
IFSM
non-repetitive peak forward
current
square wave; Tj
=
25
°C prior to surge;
see
Fig.4
tp
=
1
μs
?
4
A
tp
=
1
ms
?
1
A
tp
=
1
s
?
0.5
A
Ptot
total power dissipation
Tamb
=
25
°C; note
1
?
250
mW
Tstg
storage temperature
?65
+150
°C
Tj
junction temperature
?
150
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB2461JW01-C-1A | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V |
| MB2461JW01-F-1A | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V |
| MB2011SB1W08-DC | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 6A 125V |
| STK BK | CAP USE W/ SERU AU OA BRN |
| MB2461JW01-A-1A | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAV199215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE 85V SOT-23 |
| BAV199-7 | 功能描述:整流器 85V 250mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAV199-7-F | 功能描述:整流器 85V 250mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAV199-AU | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES |
| BAV199B6327XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Switching 85V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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