- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录70 > BAV199,235 (NXP Semiconductors)DIODE SW DUAL 75V 160MA SOT-23 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | BAV199,235 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 121K |
| 描述： | DIODE SW DUAL 75V 160MA SOT-23 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5nA @ 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 160mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 反向恢复时间(trr)： | 3µs |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2001 Oct 12 3
NXP Semiconductors
Product data sheet
Low-leakage double diode BAV199
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj
=
25
°C unless otherwise specified.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Device mounted on a FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYP.
MAX.
UNIT
Per diode
VF
forward voltage
see
Fig.3
IF
=
1
mA
?
900
mV
IF
=
10
mA
?
1000
mV
IF
=
50
mA
?
1100
mV
IF
=
150
mA
?
1250
mV
IR
reverse current
see
Fig.5
VR
=
75
V
0.003
5
nA
VR
=
75
V; Tj
=
150
°C
3
80
nA
Cd
diode capacitance
f
=
1
MHz; VR
=
0; see
Fig.6
2
?
pF
trr
reverse recovery time
when switched from IF
=
10
mA to
IR
=
10
mA; RL
=
100
?;
measured at IR
=
1
mA; see
Fig.7
0.8
3
μs
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth
j-tp
thermal resistance from junction to tie-point
360
K/W
Rth
j-a
thermal resistance from
junction to ambient
note
1
500
K/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAV199DW-7 | DIODE SW ARRAY 85V 200MW SC70-6 |
| BAV199LT1G | DIODE SWITCH DUAL 70V SOT23 |
| BAV199W-7 | DIODE SW DUAL 85V 200MW SC70-3 |
| BAV199 | DIODE SWITCH 250MW 85V SOT23-3 |
| BAV23-7 | DIODE ARRAY 200V 400MA SOT143 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAV199-7 | 功能描述:整流器 85V 250mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAV199-7-F | 功能描述:整流器 85V 250mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAV199-AU | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES |
| BAV199B6327XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Switching 85V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
| BAV199DW | 制造商:JIANGSU 制造商全称:Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 功能描述:Multi-Chip DIODES |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。