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参数资料
| 型号： | BAV21_NT50A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 60K |
| 描述： | DIODE GEN PURP 250V 200MA DO-35 |
| 标准包装： | 5,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 250V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 200V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-35 |
| 包装： | 带盒（TB） |
B
A
V19 / BA
V20 / BA
V21
BAV19/20/21, Rev.
C
Typical Characteristics (continued)
Small Signal Diode
(continued)
Ta= -40 C°°
1000.001 0.003 0.01 0.03 0.1 0.3 1 3 10
200
300
400
500
600
700
800
900
Ta= 25 C°
Ta= +80 C°
Forward Voltage, V
F
[mV]
Forward Current, IF
[mA]
Figure 7. Forward Voltage
vs Ambient Temperature
VF - 1.0 uA - 10 mA (-40 to +80 Deg C)
02468101214
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
Ta= 25 C°
Total Capacitance [pF]
Reverse Voltage [V]
Figure 8. Total Capacitance
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
20
30
40
50
IF
= I
R
= 30 mA
Rloop = 100 Ohms
Reverse Recovery Time [nS]
Reverse Recovery Current, Irr
[mA]
050100150
0
100
200
300
400
IF(AV
)
-
AV
ERAGE R
ECTI
FIED
C
URREN
T
-
m
A
Current [mA]
Ambient Temperature, TA
[ C]
Figure 9. Reverse Recovery Time vs
Reverse Recovery Current
Figure 10. Average Rectified Current (IF(AV))
versus Ambient Temperature (TA)
0 50 100 150 200
0
100
200
300
400
500
DO-35 Pkg
SOT-23 Pkg
Power Dissipation, P
D
[mW]
Average Temperature, IO
[ C]
Figure 11. Power Derating Curve
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| THJC106K025RJN | CAP TANT 10UF 25V 10% 2312 |
| VE-2W4-EV-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 48V 150W |
| T86C474K050EAAS | CAP TANT 0.47UF 50V 10% 2312 |
| RSM31DTMS | CONN EDGECARD 62POS R/A .156 SLD |
| S152K39X7RN63J5R | CAP CER 1500PF 1KV 10% RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAV21P | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Surface Mount Switching Diode |
| BAV21R0 | 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:High Voltage Switching Diode |
| BAV21-T | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 250V 0.2A 2PIN DO-35 - Tape and Reel |
| BAV21-T50A | 功能描述:DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:250V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大） 基本零件编号:BAV21 标准包装:1 |
| BAV21-T50R | 功能描述:DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:250V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大） 基本零件编号:BAV21 标准包装:1 |
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