参数资料
型号: BAV21W/D3
厂商: GENERAL SEMICONDUCTOR INC
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 0.2 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE
文件页数: 3/3页
文件大小: 138K
代理商: BAV21W/D3
Ratings and
Characteristic Curves (T
A
= 25°C unless otherwise noted)
BAV19W thru BAV21W
Small-Signal Diodes
相关PDF资料
PDF描述
BB-BNFNFE-26 PANEL MOUNT, FEMALE-FEMALE, RF STRAIGHT ADAPTER
BB804W212 VHF BAND, 18 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
BBLP-200+ 200 MHz, LOW PASS FILTER
BC378 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package
BC807F PNP Silicon Transistor (High current application Switching application)
相关代理商/技术参数
参数描述
BAV21W-E3-08 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:BAV21W-E3-08 - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:BAV21W-V Series 250 V 250 mA High Voltage Small Signal Switching Diode - SOD-123 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SWITCHING DIODES
BAV21W-E3-18 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:BAV21W-E3-18 - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOD123
BAV21W-G RHG 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD123 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1
BAV21W-G3-08 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:BAV21W-G3-08 - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:DIODE
BAV21W-G3-18 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:BAV21W-G3-18 - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOD123