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参数资料
| 型号： | BAV70DXV6T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 90K |
| 描述： | DIODE SWITCH DUAL CC 70V SOT563 |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2.5µA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 70V |
| 反向恢复时间(trr)： | 6ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 2 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | BAV70DXV6T1GOSCT |
?
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
May, 2013 ?
Rev. 4
1
Publication Order Number:
BAV70DXV6T1/D
BAV70DXV6T5G
Monolithic Dual Switching
Diode Common Cathode
Features
?
These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)
Rating
Symbol
Value
Unit
Reverse Voltage
VR
100
Vdc
Forward Current
IF
200
mAdc
Peak Forward Surge Current
IFM(surge)
500
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
(One Junction Heated)
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation, TA
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
357
(Note 1)
2.9
(Note 1)
mW
mW/°C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RJA
350
(Note 1)
°C/W
Characteristic
(Both Junctions Heated)
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation, TA
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
500
(Note 1)
4.0
(Note 1)
mW
mW/°C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RJA
250
(Note 1)
°C/W
Junction and Storage
Temperature Range
TJ, Tstg
?55 to
+150
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. FR?4 @ Minimum Pad
http://onsemi.com
3
CATHODE
4
ANODE
5
ANODE
Device Package Shipping?
ORDERING INFORMATION
SOT?563
CASE 463A
PLASTIC
1
MARKING DIAGRAM
6
CATHODE
ANODE
1
2
ANODE
BAV70DXV6T1
A4 = Specific Device Code
M = Month Code
= Pb?Free Package
A4 M
1
BAV70DXV6T5G SOT?563
(Pb?Free)
8000/Tape & Reel
(Note: Microdot may be in either location)
?For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAV70LP-7 | DIODE ARRAY 75V 150MA 3-UFDFN |
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| BAV70M3T5G | DIODE ARRAY 75V 200MA SOT723 |
| BAV70TA | DIODE SW FAST DUAL CC SOT23-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAV70DXV6T5 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 70V 200mA Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAV70DXV6T5G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 70V 200mA Dual Common Cathode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAV70-E3-08 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:BAV70-E3-08 - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE ARRAY 70V 250MA SOT23 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Diodes - General Purpose, Power, Switching 70 Volt 250mA 2.0 Amp IFSM 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:DIODE |
| BAV70-E3-18 | 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 70V 125mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:125mA（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 50mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2.5μA @ 70V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:10,000 |
| BAV70E6327 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:AF DIODE,SOT23,T&R,3K, - Bulk |
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