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参数资料
| 型号： | BAV70LP-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 101K |
| 描述： | DIODE ARRAY 75V 150MA 3-UFDFN |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2.5µA @ 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 150mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-X1DFN1006 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BAV70LP-7DIDKR |
BAV70LP
Document number: DS31597 Rev. 4 - 2
2 of 4
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
BAV70LP
NEW PRODUCT
Maximum Ratings
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Value Unit
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
VRM
100 V
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
75 V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
53 V
Forward Continuous Current (Note 4)
IFM
300 mA
Average Rectified Output Current (Note 4)
IO
150 mA
Repetitive Peak Forward Current
IFRM
450 mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0μs
@ t = 1.0s
IFSM
2.0
1.0
A
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Value Unit
Power Dissipation (Note 4)
PD
400 mW
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 4)
RθJA
312
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ , TSTG
-65 to +150
°C
Electrical Characteristics
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Min Max Unit Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 5)
V(BR)R
75
?
V
IR
= 2.5
μA
Forward Voltage
VF
?
0.715
0.855
1.0
1.25
V
IF
= 1.0mA
IF
= 10mA
IF
= 50mA
IF
= 150mA
Reverse Current (Note 5)
IR
?
2.5
50
30
25
μA
μA
μA
nA
VR
= 75V
VR
= 75V, T
J
= 150
°C
VR
= 25V, T
J
= 150
°C
VR
= 20V
Total Capacitance
CT
?
2.0 pF VR
= 0, f = 1.0MHz
Reverse Recovery Time
trr
?
4.0 ns IF
= I
R
= 10mA,
Irr = 0.1 x IR, RL
= 100
Ω
Notes: 4. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found
on our website at http://www.diodes.com.
5. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAV70LT1G | DIODE SWITCH DUAL CC 70V SOT23 |
| BAV70M3T5G | DIODE ARRAY 75V 200MA SOT723 |
| BAV70TA | DIODE SW FAST DUAL CC SOT23-3 |
| BAV70TT1G | DIODE SWITCH DUAL 70V SC75-3 |
| BAV70W-7 | DIODE DUAL SW 75V 200MW SC70-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAV70LT1 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 70V 200mA Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAV70LT1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Monolithic Dual Common Cathode Switching Diode |
| BAV70LT1_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Switching Diode Common Cathode |
| BAV70LT1D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Monolithic Dual Switching Diode Common Cathode |
| BAV70LT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 70V 200mA Dual Common Cathode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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