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参数资料
| 型号： | BAV70M3T5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 99K |
| 描述： | DIODE ARRAY 75V 200MA SOT723 |
| 产品变化通告： | Copper Wire Change 19/May/2010 |
| 标准包装： | 8,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2.5µA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 反向恢复时间(trr)： | 6ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-723 |
| 供应商设备封装： | SOT-723 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BAV70M3T5G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
(Each Diode)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Reverse Breakdown Voltage
(I(BR)
= 100
A)
V(BR)
100
?
V
Reverse Voltage Leakage Current (Note 3)
(VR
= 25 V, T
J
= 150
°C)
(VR
= 100 V)
(VR
= 70 V, T
J
= 150
°C)
IR
?
?
?
60
2.5
100
A
Diode Capacitance
(VR
= 0 V, f = 1.0 MHz)
CD
?
1.5
pF
Forward Voltage
(IF
= 1.0 mA)
(IF
= 10 mA)
(IF
= 50 mA)
(IF
= 150 mA)
VF
?
?
?
?
715
855
1000
1250
mV
Reverse Recovery Time RL
= 100
(IF
= I
R
= 10 mA, I
R(REC)
= 1.0 mA) (Figure 1)
trr
?
6.0
ns
3. For each individual diode while second diode is unbiased.
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 10 mA.
Notes: 3. tp
? t
rr
+10 V
2.0 k
820
0.1 F
D.U.T.
VR
100 H
0.1 F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
= 1.0 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 10 mA; MEASURED
at iR(REC)
= 1.0 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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| BAV70PT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:SWITCHING DIODE VOLTAGE 75 Volts CURRENT 0.15 Ampere |
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