参数资料
型号: BAV70WT1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/5页
文件大小: 95K
描述: DIODE SWITCH DUAL CC 70V SOT323
产品变化通告: Copper Wire Change 19/May/2010
产品目录绘图: Rectifier SOT-323 Pkg
标准包装: 10
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 150mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 70V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 200mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 70V
反向恢复时间(trr): 6ns
二极管类型: 标准
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商设备封装: SC-70-3(SOT323)
包装: 标准包装
产品目录页面: 1569 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: BAV70WT1GOSDKR
BAV70WT1G, SBAV70WT1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Reverse Breakdown Voltage
(I(BR)
= 100
A)
V(BR)
100
?
V
Reverse Voltage Leakage Current (Note 3)
(VR
= 100 V)
(VR
= 50 V)
IR
?
?
5.0
100
A
nA
Forward Voltage
(IF
= 1.0 mA)
(IF
= 10 mA)
(IF
= 50 mA)
(IF
= 150 mA)
VF
?
?
?
?
715
855
1000
1250
mV
Diode Capacitance
(VR
= 0 V, f = 1.0 MHz)
CD
?
1.5
pF
Reverse Recovery Time
(IF
= I
R
= 10 mA, R
L
= 100
, IR(REC)
= 1.0 mA) (Figure 1)
trr
?
6.0
ns
Forward Recovery Voltage
(IF
= 10 mA, t
r
= 20 ns) (Figure 2)
VRF
?
1.75
V
3. For each individual diode while the second diode is unbiased.
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BAV70WT-TP 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 150mA 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube