参数资料
型号: BAV74,215
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 3/9页
文件大小: 126K
描述: DIODE SW DBL 50V 215MA HS SOT23
产品目录绘图: SOT-23 Circuit
标准包装: 1
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1V @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 50V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 215mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 50V
反向恢复时间(trr): 4ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 标准包装
产品目录页面: 1508 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 568-1623-6
2004 Jan 14 3
NXP Semiconductors
Product data sheet
High-speed double diode BAV74
ORDERING INFORMATION
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj
=
25
°C unless otherwise specified.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
TYPE NUMBER
PACKAGE
NAME
DESCRIPTION
VERSION
BAV74
?
plastic surface mounted package; 3 leads
SOT23
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
Per diode
VF
forward voltage
see
Fig.3
IF
=
1
mA
715
mV
IF
=
10
mA
855
mV
IF
=
100
mA
1.0
V
IR
reverse current
see
Fig.5
VR
=
25
V
30
nA
VR
=
50
V
0.1
μA
VR
=
25
V; Tj
=
150
°C
30
μA
VR
=
50
V; Tj
=
150
°C
100
μA
Cd
diode capacitance
f
=
1
MHz; VR
=
0; see
Fig.6
1.5
pF
trr
reverse recovery time
when switched from IF
=
10
mA to
IR
=
10
mA; RL
=
100
?; measured
at IR
=
1
mA; see
Fig.7
4
ns
Vfr
forward recovery voltage
when switched from IF
=
10
mA;
tr
=
20
ns; see
Fig.8
1.75
V
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth(j-tp)
thermal resistance from junction to tie-point
360
K/W
Rth(j-a)
thermal resistance from
junction to ambient
note
1
500
K/W
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PDF描述
KB16KKW01-5C-JC SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
F931C156KBA CAP TANT 15UF 16V 10% 1411
F931A336KBA CAP TANT 33UF 10V 10% 1411
JQ1AP-12V-F RELAY GEN PURPOSE SPST 10A 12V
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参数描述
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