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参数资料
| 型号： | BAV74LT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 116K |
| 描述： | DIODE SWITCH DUAL CC 50V SOT23 |
| 产品目录绘图： | Rectifier SOT-23, SOT-23S |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 50V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1569 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAV74LT1GOSDKR |
BAV74LT1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage
(I(BR)
= 5.0
Adc)
V(BR)
50
?
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current, (Note 3)
(VR
= 50 Vdc, T
J
= 125
°C)
(VR
= 50 Vdc)
IR
?
?
100
0.1
Adc
Diode Capacitance
(VR
= 0, f = 1.0 MHz)
CD
?
2.0
pF
Forward Voltage
(IF
= 100 mAdc)
VF
?
1.0
Vdc
Reverse Recovery Time
(IF
= I
R
= 10 mAdc, I
R(REC)
= 1.0 mAdc, measured at I
R
= 1.0 mA, R
L
= 100
)
trr
?
4.0
ns
3. For each individual diode while the second diode is unbiased.
100
0.1
0.2 0.4
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
0.6 0.8 1.0
1.2
10
1.0
TA
= 85
°C
10
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
0.1
0.01
0.001
10 20 30 40
50
1.0
0.60
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.9
0.8
0.7
C
D
, DIODE CAPACITANCE (pF)
2468
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 1. Forward Voltage Figure 2. Leakage Current
Figure 3. Capacitance
TA
= -
°C
TA
= 25
°C
TA
= 150
°C
TA
= 125
°C
TA
= 85
°C
TA
= 55
°C
TA
= 25
°C
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
Curves Applicable to Each Anode
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| BAV74LT3G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 50V 200mA Dual Common Cathode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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| BAV74TA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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