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参数资料
| 型号： | BAV99-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 175K |
| 描述： | DIODE DUAL SW 75V 350MW SOT23-3 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2.5µA @ 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 300mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | BAV99CT BAV99CT-ND BAV99DICT |
BAV99
Document number: DS12007 Rev. 25 - 2
2 of 4
www.diodes.com
January 2014
? Diodes Incorporated
BAV99
Maximum Ratings
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Value Unit
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
VRM
100 V
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
75 V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
53 V
Forward Continuous Current (Note 6)
IFM
300 mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0μs
@ t = 1.0s
IFSM
2.0
1.0
A
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Value Unit
Power Dissipation (Note 6)
PD
350 mW
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 6)
RθJA
357 °C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-65 to +150 °C
Electrical Characteristics
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Min Max Unit Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 7)
V(BR)R
75
?
V
IR
= 2.5μA
Forward Voltage
VF
?
0.715
0.855
1.0
1.25
V
IF
= 1.0mA
IF
= 10mA
IF
= 50mA
IF
= 150mA
Reverse Current (Note 7)
IR
?
2.5
50
30
25
μA
μA
μA
nA
VR
= 75V
VR
= 75V, T
J
= +150°C
VR
= 25V, T
J
= +150°C
VR
= 20V
Total Capacitance
CT
?
2.0 pF VR
= 0, f = 1.0MHz
Reverse Recovery Time
trr
?
4.0 ns IF
= I
R
= 10mA,
Irr = 0.1 x IR, RL
= 100
Ω
Notes: 6. Part mounted on Polymide PC board with pad dimensions 1.13mm x 1.27mm.
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95D477K6R3EZSL | CAP TANT 470UF 6.3V 10% 2917 |
| SDR0403-120ML | INDUCTOR POWER 12UH 1.05A 0403 |
| AISM-1812-330K-T | INDUCTOR CHIP 33UH 160MA SMD |
| BAT54S-7 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT23-3 |
| NCP30653ABCKGEVB | EVAL BOARD FOR NCP30653ABCKG |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAV99-7-05-F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:350MW, 75V, SWITCHING-DIODE (LEAD FREE) |
| BAV99-7-08-F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:350MW, 75V, SWITCHING-DIODE |
| BAV99-7-99-F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| BAV997F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| BAV99-7-F | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 75V 350mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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