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参数资料
| 型号： | BAV99WT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 96K |
| 描述： | DIODE SWITCH SS DUAL 70V SOT323 |
| 产品变化通告： | Copper Wire Change 19/May/2010 |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2.5µA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 215mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 70V |
| 反向恢复时间(trr)： | 6ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3（SOT323） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | BAV99WT1OSCT |
BAV99WT1, SBAV99WT1G, BAV99RWT1, SBAV99RWT1G
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR?5 Board, (Note 1) TA
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
200
1.6
mW
mW/°C
Thermal Resistance Junction?to?Ambient
RJA
625
°C/W
Total Device Dissipation Alumina Substrate, (Note 2) TA
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
300
2.4
mW
mW/°C
Thermal Resistance Junction?to?Ambient
RJA
417
°C/W
Junction and Storage Temperature
TJ, Tstg
?65 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted) (Each Diode)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage
(I(BR)
= 100
A)
V(BR)
100
?
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current
(VR
= 100 Vdc)
(VR
= 25 Vdc, T
J
= 150
°C)
(VR
= 70 Vdc, T
J
= 150
°C)
IR
?
?
?
2.5
30
50
Adc
Diode Capacitance
(VR
= 0, f = 1.0 MHz)
CD
?
1.5
pF
Forward Voltage
(IF
= 1.0 mAdc)
(IF
= 10 mAdc)
(IF
= 50 mAdc)
(IF
= 150 mAdc)
VF
?
?
?
?
715
855
1000
1250
mVdc
Reverse Recovery Time
(IF
= I
R
= 10 mAdc, i
R(REC)
= 1.0 mAdc) (Figure 1) R
L
= 100
trr
?
6.0
ns
Forward Recovery Voltage
(IF
= 10 mA, t
r
= 20 ns)
VFR
?
1.75
V
1. FR?5 = 1.0
0.75
0.062 in.
2. Alumina = 0.4
0.3
0.024 in. 99.5% alumina.
Notes: (a) A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 10 mA.
Notes: (b) Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 10 mA.
Notes: (c) tp
? t
rr
+10 V
2 k
820
0.1 F
DUT
VR
100 H
0.1 F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
= 1 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 10 mA; measured
at iR(REC)
= 1 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 396-062-540-802 | CARD EDGE 62POS DL .125X.250 BLK |
| BAV99RWT1 | DIODE SWITCH SS DUAL 70V SOT323 |
| 396-062-540-204 | CARD EDGE 62POS DL .125X.250 BLK |
| BAV99LT1 | DIODE SWITCH SS DUAL 70V SOT23 |
| 396-062-540-202 | CARD EDGE 62POS DL .125X.250 BLK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAV99W-T1 | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
| BAV99WT1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SC-70/SOT-323 Dual Series Switching Diodes |
| BAV99WT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 70V 215mA Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAV99WT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode |
| BAV99WT1H | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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