参数资料
型号: BAW156,215
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 5/8页
文件大小: 119K
描述: DIODE DUAL 75V 160MA SOT-23
标准包装: 3,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 150mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5nA @ 75V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 160mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 75V
反向恢复时间(trr): 3µs
二极管类型: 标准
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 1 对共阳极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 934032650215
BAW156 T/R
BAW156 T/R-ND
1999 May 11 5
NXP Semiconductors
Product data sheet
Low-leakage double diode BAW156
VR
= 75 V.
Fig.5 Reverse current as a function of junction
temperature; per diode.
2handbook, halfpage10
10
3
0
150 200T ( C)
j
o
50
MLB754
100
10
1
10
1
10
2
I
R
(nA)
(1)
(2)
Fig.6 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; per diode; typical values.
f = 1 MHz; Tj
= 25
°C.
handbook, halfpage4
010205
15
VR
(V)
3
2
0
1
MBG525
Cd
(pF)
handbook, full pagewidth
trr
(1)
IF
t
output signal
tr
t
tp
10%
90%
VR
input signal
V = V I x RRF S
R = 50S
Ω
IF
D.U.T.
R = 50i
Ω
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
MGA881
Fig.7 Reverse recovery time test circuit and waveforms.
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PDF描述
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BAW156-AU 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES
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