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参数资料
| 型号： | BAW56TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 89K |
| 描述： | DIODE SW FAST DUAL CA SOT23-3 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2.5µA @ 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 300mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阳极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | BAW56ZX BAW56ZXCT |
BAW56
Document number: DS12008 Rev. 21 - 2
2 of 4
www.diodes.com
July 2012
? Diodes Incorporated
BAW56
Maximum Ratings
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Value Unit
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
VRM
100 V
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
75 V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
53 V
Forward Continuous Current (Note 5)
IFM
300 mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0μs
@ t = 1.0s
IFSM
2.0
1.0
A
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Value Unit
Power Dissipation (Note 5)
PD
350 mW
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 5)
RθJA
357
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ , TSTG
-65 to +150
°C
Electrical Characteristics
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Min Max Unit Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 6)
V(BR)R
75
?
V
IR = 2.5μA
Forward Voltage
VF
?
0.715
0.855
1.0
1.25
V
IF
= 1.0mA
IF
= 10mA
IF
= 50mA
IF
= 150mA
Reverse Current (Note 6)
IR
?
2.5
50
30
25
μA
μA
μA
nA
VR
= 75V
VR
= 75V, T
J
= +150
°C
VR
= 25V, T
J
= +150
°C
VR
= 20V
Total Capacitance
CT
?
2.0 pF VR
= 0, f = 1.0MHz
Reverse Recovery Time
trr
?
4.0 ns IF
= I
R
= 10mA,
Irr = 0.1 x IR, RL
= 100
Ω
Notes: 5. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com.
6. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
400
T , AMBIENT TEMPERATURE, (°C)A
Fig. 1 Power Derating Curve, Total Package
P
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N (mW)
D
,
200
100
300
0
500
0
100
200
Note 5
0.1
1
0.01
0.001
010.5
1.0
.5
I, I
N
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
E
N
T
(A)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Fig. 2 Typical Forward Characteristics, Per Element
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PDF描述 |
|---|---|
| 395-072-541-801 | CARD EDGE 72POS DL .100X.200 BLK |
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| T95Y476K6R3CSAL | CAP TANT 47UF 6.3V 10% 2910 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAW56TB | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |
| BAW56TC | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAW56TE6327XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Switching 85V 0.2A 3-Pin SC-75 T/R |
| BAW56TL6327XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Switching 85V 0.2A 3-Pin SC-75 T/R |
| BAW56-TP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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