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参数资料
| 型号： | BAW74 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 58K |
| 描述： | DIODE HI COND 50V 200MA SOT-23 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 50V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对共阳极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BAW74
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
BAW74, Rev. A
BAW74
Small Signal Diode
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
3
1
2
SOT-23
1
2
3
JD
Absolute Maximum Ratings*
TA
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 50 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
2.0
A
A
Tstg
Storage Temperature Range -55 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature 150
°C
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TA
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
PD
Power Dissipation 350 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 357
°C/W
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
VR
Breakdown Voltage
IR = 100 μA
50
V
VF* Forward Voltage
IF = 100 mA 1.0
V
IR* Reverse Current
VR = 50 V, TA = 150°C
100
μA
CT
Total Capacitance
VR = 0, f = 1.0 MHz
2.0 pF
trr
Reverse Recovery Time IF = IR = 10 mA, IRR = 1.0 mA,
RL = 100 ?
4.0 ns
*Pulse test : Pulse width=300us, Duty Cycle=2%
12
3
Connection Diagram
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC56-11EWA | DISPLAY 627NM RED 3DIG 0.56" TH |
| BC56-11GWA | DISPLAY 565NM GRN 3DIG 0.56" TH |
| BC56-11SRWA | DISPLAY 660NM RED 3DIG 0.56" TH |
| BC56-11YWA | DISPLAY 590NM YLW 3DIG 0.56" TH |
| BC56-12EWA | DISPLAY 627NM RED 3DIG 0.56" TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAW74_D87Z | 功能描述:整流器 50V 200mA DUAL RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAW74_Q | 功能描述:整流器 50V 200mA DUAL RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAW74-D87Z | 功能描述:DIODE ARRAY GP 50V 200MA SOT23-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 二极管配置:1 对共阳极 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 50V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 基本零件编号:BAW74 标准包装:1 |
| BAW74TA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAW74TC | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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