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参数资料
| 型号： | BAY72TR |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 64K |
| 描述： | DIODE HI COND 125V 200MA DO-35 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 125V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 100V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-35 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | BAY72TRFSCT |
B
A
Y72
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
BAY72, Rev. A
BAY72
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings*
TA
= 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
DO-35
Color Band Denotes Cathode
Electrical Characteristics
TA
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage
125 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
4.0
A
A
Tstg
Storage Temperature Range -65 to +200
°C
TJ
Operating Junction Temperature 175
°C
Symbol
Parameter
Value
Units
PD
Power Dissipation 500 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 300
°C/W
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
VR
Breakdown Voltage
IR
= 100
μA
125 V
VF
Forward Voltage I
F
= 1.0 mA
IF
= 10 mA
IF
= 50 mA
IF
= 100 mA
0.51
0.63
0.73
0.78
0.64
0.78
0.92
1.0
V
V
V
V
IR
Reverse Current V
R
= 100 V
100
nA
VR
= 100 V, T
A
= 125
°C
100
μA
CT
Total Capacitance V
R
= 0, f
= 1.0 MHz 5 pF
trr1
Reverse Recovery Time I
F
= I
R
= 30 mA, I
rr
= 1.0 mA 50 ns
trr2
Reverse Recovery Time I
F
= 30 mA, V
R
= 35 V 400 ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAY73 | DIODE HI COND 125V 500MA DO-35 |
| BY229-600,127 | DIODE RECT 600V 8A TO-220AC |
| BY229X-800,127 | DIODE RECT 200V 8A SOD113 |
| BY255GPHE3/54 | DIODE 3A 1300V DO-201AD |
| BY255P-E3/73 | DIODE 3A 1300V DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAY73 | 功能描述:整流器 125V 500mA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAY73_05 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode |
| BAY73_Q | 功能描述:整流器 125V 500mA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAY73_T50R | 功能描述:整流器 Hi Conductance Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAY73TR | 功能描述:整流器 125V 500mA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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