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参数资料
| 型号： | BAY73TR |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 26K |
| 描述： | DIODE HI COND 125V 500MA DO-35 |
| 标准包装： | 30,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 125V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 500mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 200mA |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 1µs |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5nA @ 100V |
| 电容@ Vr, F： | 8pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-35 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
BAY73 Rev. B
BAY73 Small Signal Diode
January 2005
BAY73
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings *
Ta
= 25°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TC
= 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Unit
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 125 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 500 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
4.0
A
A
TSTG
Storage Temperature Range -65 to +200
°C
TJ
Operating Junction Temperature 175
°C
Symbol Parameter Value Unit
PD
Power Dissipation 500 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 300
°C/W
Symbol Parameter Conditions Min. Max Units
VR
Breakdown Voltage IR
= 100
μA 125 V
VF
Forward Voltage IF
= 1mA
IF
= 5mA
IF
= 10mA
IF
= 50mA
IF
= 100mA
IF
= 200mA
0.60
0.67
0.69
0.78
0.81
0.85
0.68
0.75
0.80
0.88
0.94
1.0
V
V
V
V
V
V
IR
Reverse Leakage VR
= 100V
5
nA
VR
= 100V, T
A
= 125
°C
1
μA
VR
= 20V, T
A
= 125
°C
500
nA
CT
Total Capacitance VR
= 0, f = 1.0MHz 8 pF
trr
Reverse Recovery Time IF
= I
R
= 30mA, I
rr
= 3mA, R
L
= 100
?1.0
μs
DO-35
Color Band Denotes Cathode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V67602S150PFI8 | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP |
| BAY73_T50R | DIODE HI COND 125V 500MA DO-35 |
| IDT71V67602S150PFI | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP |
| VI-24F-EV-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 72V 150W |
| 1N486B_T50R | DIODE SS 250V 200MA DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAY74 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Conductance Ultra Fast Diode |
| BAY80 | 功能描述:整流器 DO-35 GP SWITCHING RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAY80_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Switching Diode, High Voltage |
| BAY80_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Switching Diode, High Voltage |
| BAY80_T50R | 功能描述:整流器 Hi Conductance Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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