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参数资料
| 型号： | BC557A-AMMO |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | BC557A-AMMO |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAB58C | INTERCONNECTION DEVICE |
| BNC-C-96 | INTERCONNECTION DEVICE |
| B868648K8800500 | INTERCONNECTION DEVICE |
| BS1301-9PD4TB2 | 1-OUTPUT 100 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| BS1501-7PD4T | 1-OUTPUT 100 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BC557A-AP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin TO-92 Ammo |
| BC557ABU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP -45V -100mA HFE/220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC557A-BULKS | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP -45V -100mA HFE/220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC557ATA | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP -45V -100mA HFE/220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC557ATA_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP -45V -100mA HFE/22 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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