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参数资料
| 型号： | BC817 |
| 厂商： | AUK Corp |
| 英文描述： | NPN Silicon Transistor (High current application Switching application) |
| 中文描述： | NPN硅晶体管（高电流应用交换应用） |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | BC817 |
KST-2003-000
3
2SC5344SF
BC817
Electrical Characteristic Curves
Fig. 2 I
C
- V
BE
Fig. 3 I
C
- V
CE
Fig. 4 V
CE(sat)
- I
C
Fig. 5 h
FE
-
I
C
Fig. 1 P
C
- T
a
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC818 | NPN Silicon Transistor (High current application Switching application) |
| BC846U | High Speed CMOS Logic 8-Input Multiplexer 16-SOIC -55 to 125 |
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| BCM5802 | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PQFP144 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BC817 /T3 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC817,215 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC817,235 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC817 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 |
| BC817.16 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA |
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