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参数资料
| 型号： | BC818TR |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | BC818TR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BC818BK | 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC818.40BK | 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| BC818.16BK | 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BC818W | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全称:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors |
| BC8300 | 制造商:NOGA 功能描述:DEBURRING COUNTERSINK 8.3MM 制造商:NOGA 功能描述:DEBURRING COUNTERSINK, 8.3MM |
| BC8446-7-F | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC8448-7-F | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC846 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Ep Trans NPN,0.1A,65V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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