型号: | BC847CWT1 |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 4/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | BC847CWT1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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BC848CLT1 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BC848CWT1 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BAT54CWT1 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BSS64LT1 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BC546 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BC847CWT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
BC847CWT3G | 功能描述:两极晶体管 - BJT GENRL TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
BC847CW-TP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
BC847DG | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors |
BC847DS | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 45V, 100MA, SOT457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 45V, 100MA, SOT457; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Min:-55C; Operating ;RoHS Compliant: Yes |