型号: | BC849B-2B |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 1/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | BC849B-2B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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BV-N301RD | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BC849BE6327 | 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
BC849BE6327HTSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR NPN AF 30V SOT-23 |
BC849BLT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
BC849BLT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
BC849BLT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR NPN 30V 0.1A SOT-23 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, SOT-23, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter V 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, SOT-23, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V, Transition Frequency ft:100MHz, Power Dissipation Pd:225mW, DC Collector Current:100mA, DC Current Gain hFE:290, Operating , RoHS Compliant: Yes |