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参数资料
| 型号： | BC859CBK |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | BC859CBK |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC859BTR13 | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC859ABK | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BSR14TR13 | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BSR14BK | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BSR16BK | 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BC859CE6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| BC859CE6327HTSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR PNP AF 30V SOT-23 |
| BC859CLT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC859CLT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC859CLT3 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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