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参数资料
| 型号： | BCW61BTR |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | BCW61BTR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW61CTR | 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BD-A54DRD | 7 SEG NUMERIC DISPLAY, SUPER RED, 14.224 mm |
| BD-A835RD | 7 SEG NUMERIC DISPLAY, BRIGHT RED, 20.32 mm |
| BD-F831RD | 7 SEG NUMERIC DISPLAY, RED, 20.32 mm |
| BD-C401ND-A | 7 SEG NUMERIC DISPLAY, RED, 10.16 mm |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BCW61C | 制造商:-- 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-236AA 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| BCW61C T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW61C,215 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW61C,235 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW61C/E8 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
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