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参数资料
| 型号： | BCW65ATR |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | BCW65ATR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW65BK | 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCW65CBK | 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCW65TR | 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCW65ATRLEADFREE | 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCW65ATR13LEADFREE | 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BCW65B | 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
| BCW65BL | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:BJT |
| BCW65BLR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:BJT |
| BCW65BR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-236 |
| BCW65BTA | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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