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参数资料
| 型号： | BCW70/T4 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | BCW70/T4 |
2004 Feb 06
3
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistors
BCW69; BCW70
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
ICBO
collector cut-off current
IE = 0; VCB = 20 V
100
nA
IE = 0; VCB = 20 V; Tj = 100 °C
10
μA
IEBO
emitter cut-off current
IC = 0; VEB = 5 V
100
nA
hFE
DC current gain
IC = 10 μA; VCE = 5 V
BCW69
90
BCW70
150
DC current gain
IC = 2 mA; VCE = 5 V
BCW69
120
260
BCW70
215
500
VCEsat
collector-emitter saturation
voltage
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
80
300
mV
150
mV
VBEsat
base-emitter saturation voltage
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
720
mV
810
mV
VBE
base-emitter voltage
IC = 2 mA; VCE = 5 V
600
750
mV
Cc
collector capacitance
IE = Ie = 0; VCB = 10 V;
f = 1 MHz
4.5
pF
fT
transition frequency
IC = 10 mA; VCE = 5 V;
f = 100 MHz
100
MHz
F
noise figure
IC = 200 μA; VCE = 5 V;
RS = 2 kΩ; f = 1 kHz; B = 200 Hz
10
dB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW70-T | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| BD-A516RI | 7 SEG NUMERIC DISPLAY, SUPER RED, 14.224 mm |
| BD00GA5WEFJ-E2 | ADJUSTABLE POSITIVE LDO REGULATOR, PDSO8 |
| BD00GA5WEFJ | ADJUSTABLE POSITIVE LDO REGULATOR, PDSO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BCW70TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW70TC | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW71 | 功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW71 T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW71,215 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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