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参数资料
| 型号： | BD538 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | Complemetary Silicon Power Transistors(互补硅功率晶体管) |
| 中文描述： | Complemetary硅功率晶体管（互补硅功率晶体管） |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | BD538 |
BD533/5/7
BD534/6/8
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
s
BD534, BD535, BD536, BD537 AND BD538
ARE SGS-THOMSON PREFERRED
SALESTYPES
DESCRIPTION
The BD533, BD535, and BD537 are silicon
epitaxial-base NPN power transistors in Jedec
TO-220 plastic package, intented for use in
medium power linear and switching applications.
The complementary PNP types are BD534,
BD536, and BD538 respectively.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Val ue
Uni t
NPN
BD533
BD535
BD537
PNP
BD534
BD536
BD538
VCBO
Collector-Base Voltage (IE = 0)
456080
V
VCES
Collector-Emit ter Voltage (VBE = 0)
456080
V
VCEO
Collector-Emit ter Voltage (IB = 0)
456080
V
VEBO
Emitter-Base Voltage (IC =0)
5
V
IC,IE
Collector and Emit ter Current
8
A
IB
Base Current
1
A
Ptot
Tot al Dissipation at Tc
≤ 25 oC50
W
Tstg
Storage Temperature
-65 to 150
oC
Tj
Max. O perat ing Junction Temperature
150
oC
For PNP types voltage and current values are negative.
1
2
3
TO-220
1/4
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