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参数资料
| 型号： | BF1100WR |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | N-channel dual-gate MOSFET |
| 封装： | BF1100WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,; |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | BF1100WR |
1995 Apr 25
10
Philips Semiconductors
Product specification
Dual-gate MOS-FET
BF1100WR
Fig.22 Input admittance as a function of
frequency; typical values.
V
DS
= 12 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 10 mA; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
10
3
MLD185
10
2
10
10
1
2
10
1
yis
(mS)
f (MHz)
bis
gis
V
DS
= 12 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 10 mA; T
amb
= 25
°
C.
Fig.23 Reverse transfer admittance and phase as
a function of frequency; typical values.
10
3
MLD186
10
2
10
10
3
10
2
10
1
yrs
(
μ
S)
10
3
10
10
1
2
rs
f (MHz)
rs
yrs
(deg)
Fig.24 Forward transfer admittance and phase as
a function of frequency; typical values.
V
DS
= 12 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 10 mA; T
amb
= 25
°
C.
10
3
MLD187
10
2
10
1
10
2
10
1
10
10
2
yfs
(mS)
yfs
f (MHz)
fs
fs
(deg)
Fig.25 Output admittance as a function of
frequency; typical values.
V
DS
= 12 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 10 mA; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
10
3
MLD188
10
2
10
10
1
1
10
2
yos
(mS)
f (MHz)
bos
gos
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF1100 | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1100 | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1100R | N-channel dual-gate MOSFET |
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参数描述 |
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| BF1101 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs |
| BF1101,215 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF1101R | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs |
| BF1101R,215 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
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