型号: | BF244BB-STYLE-G |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA |
文件页数: | 2/3页 |
文件大小: | 107K |
代理商: | BF244BB-STYLE-G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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BS170/D74Z | 500 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
BD801AJ | 7 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
BFC14 | 56 A, 400 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
BUX41N | 18 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
BIF-50 | LOW PASS FILTER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BF244C | 功能描述:射频JFET晶体管 N-Ch RF amplifier RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
BF244C_J35Z | 功能描述:JFET JFET N-CHANNEL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
BF244C_Q | 功能描述:射频JFET晶体管 N-Ch RF amplifier RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
BF245 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Amplifiers |
BF245A | 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |