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参数资料
| 型号： | BF245A,112 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/13页 |
| 文件大小： | 286K |
| 描述： | JFET N-CH 30V 6.5MA TO92-3 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | N 通道 JFET |
| 频率： | 100MHz |
| 电压 - 测试： | 15V |
| 额定电流： | 6.5mA |
| 噪音数据： | 1.5dB |
| 电压 - 额定： | 30V |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | 568-5598 933171550112 BF245A,112-ND BF245AP BF245AP-ND |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of April 1995
1996 Jul 30
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BF245A; BF245B; BF245C
N-channel silicon field-effect
transistors
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CWX815-50.0M | OSC 50.0000MHZ 5.0V +-25PPM SMD |
| CDV19EF620JO3 | CAP MICA 62PF 1KV 5% RADIAL |
| 3296X-1-102LF | TRIMMER 1K OHM 0.5W TH |
| CWX815-49.152M | OSC 49.1520MHZ 5.0V +-25PPM SMD |
| WMC08S12K-F | CAP FILM 0.012UF 80VDC AXIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF245A1120 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF JFET N CH 30V 6.5MA 3-TO-92 |
| BF245B | 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| BF245B WAF | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| BF245B AMO | 功能描述:射频JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF245B,112 | 功能描述:射频JFET晶体管 BULK FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
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