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参数资料
| 型号： | BF256A |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 37K |
| 描述： | TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92 |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | N 通道 JFET |
| 频率： | 800MHz |
| 增益： | 11dB |
| 额定电流： | 7mA |
| 电压 - 额定： | 30V |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
?
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
September, 2001 ± Rev. 3
1
Publication Order Number:
BF256A/D
BF256A
BF256A is a Preferred Device
JFET - General Purpose
N±Channel
N±Channel Junction Field Effect Transistor designed for VHF and
UHF applications.
?Low Cost TO±92 Type Package
?Forward Transfer Admittance, Yfs
= 4.5 mmhos (Min)
?Transfer Capacitance ± Crss
= 0.7 (Typ)
?Power Gain at f = 800 MHz, Typ. = 11 dB
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain±Source Voltage
VDS
30
Vdc
Drain±Gate Voltage
VDG
30
Vdc
Gate±Source Voltage
VGS
30
Vdc
Forward Gate Current
IG(f)
10
mAdc
Total Device Dissipation
@ TA
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
360
2.88
mW
mW/°C
Operating and Storage Channel
Temperature Range
Tchannel,
Tstg
±65 to +150
°C
0 20025
50
75 175100 150125
200
FREE AIR TEMPERATURE (°C)
P
D
, MAXIMUM CONTINUOUS
POWER DISSIPATION (mW)
0
Figure 1. Power Derating Curve
500
100
300
400
Device Package Shipping
ORDERING INFORMATION
BF256A TO±92
TO±92
CASE 29
STYLE 5
5000 Units/Box
2
3
1
Preferred
devices are recommended choices for future use
and best overall value.
Y = Year
WW = Work Week
MARKING DIAGRAMS
BF
256A
YWW
http://onsemi.com
1 DRAIN
2 SOURCE
3
GATE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF245A | TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92 |
| 301109000 | SWITCH THUMBWHEEL DEC 10POS BLK |
| 2N5486RLRP | IC AMP RF N-CH 25V TO-92 |
| KSL0M431LFT | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.01A 32V |
| B3W-4105 | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF256AG | 功能描述:JFET SS JFET NCH 30V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| BF256B | 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| BF256B_J35Z | 功能描述:JFET JFET N-CHANNEL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| BF256B_Q | 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| BF256C | 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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