- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21693 > BF256B_J35Z (Fairchild Semiconductor)IC AMP RF N-CH 30V 10MA TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BF256B_J35Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 24K |
| 描述： | IC AMP RF N-CH 30V 10MA TO-92 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 14/Mar/2011 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 晶体管类型： | N 通道 JFET |
| 额定电流： | 13mA |
| 电压 - 额定： | 30V |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, June 2003
BF256A/BF256B/BF256C
Absolute Maximum Ratings Ta=25°Cunless otherwise noted
Electrical Characteristics Ta=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VDG
Drain-Gate Voltage 30 V
VGS
Gate-Source Voltage -30 V
IGF
Forward Gate Current 10 mA
PD
Total Device Dissipation @TA=25°C
350
mW
Derate above 25°C
2.8
mW/°C
TSTG
Operating and storage Temperature Range - 55 ~ 150
°C
Symbol Parameter Test Condition Min. Max. Units
Off Characteristics
V(BR)GSS
Gate-Source Breakdown Voltage VDS
= 0, I
G
= 1
μA-30V
VGS
Gate-Source VDS
= 15V, I
D
= 200
μA -0.5 -7.5 V
VGS(off) Gate-Source Cutoff Voltage VDS
= 15V, I
D
= 10nA -0.5 -8 V
IGSS
Gate Reverse Current VGS
= -20V, V
GS
= 0 -5 nA
On Characteristics
IDSS
Zero-Gate Voltage Drain Current
BF256A
BF256B
BF256C
VGS
= 15V, V
GS
= 0 3
6
11
7
13
18
mA
Small Signal Characteristics
gfs Common Source Forward Transconductance VDS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1KHz 4.5 mmhos
BF256A/BF256B/BF256C
N-Channel RF Amplifiers
This device is designed for VHF/UHF amplifiers.
Sourced from process 50.
TO-92
1. Gate 2. Source 3. Drain
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 150104K630FE | CAP FILM 0.1UF 630VDC AXIAL |
| 3260H-1-101 | TRIMMER 100 OHM 0.25W TH |
| 150684J63DC | CAP FILM 0.68UF 63VDC AXIAL |
| MCM01-002ED610J-F | CAP MICA 61PF 500V 5% SMD |
| 3252W-1-102LF | TRIMMER 1K OHM 0.75W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF256C | 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| BF256C_J35Z | 功能描述:JFET JFET N-CHANNEL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| BF256C_Q | 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| BF257 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BF257CSM | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NPN |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。