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参数资料
| 型号： | BF861C |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel FET |
| 封装： | BF861C<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BF861C/A2<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always Pb-fr |
| 文件页数： | 1/14页 |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | BF861C |
1. Product profile
1.1 General description
N-channel symmetrical junction field effect transistors in a SOT23 package.
1.2 Features and benefits
High transfer admittance
Low feedback capacitance
1.3 Applications
Preamplifiers for AM tuners in car radios.
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
V
DS
BF861A; BF861B; BF861C
N-channel junction FETs
Rev. 5 — 15 September 2011
Product data sheet
ST3
CAUTION
The device is supplied in an antistatic package. The gate-source input must be protected against
static discharge during transport or handling.
MSC895
Low input capacitance
Low noise.
Quick reference data
Parameter
drain-source voltage
(DC)
drain current
BF861A
BF861B
BF861C
total power dissipation up to T
amb
= 25
C
forward transfer
admittance;
BF861A
BF861B
BF861C
input capacitance
reverse transfer
capacitance
Conditions
Min
-
Typ
-
Max
25
Unit
V
I
DSS
V
GS
= 0 V; V
DS
= 8 V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 8 V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 8 V
2
6
12
-
-
-
-
-
6.5
15
25
250
mA
mA
mA
mW
P
tot
y
fs
V
GS
= 0 V; V
DS
= 8 V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 8 V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 8 V
f = 1 MHz
f = 1 MHz
12
16
20
-
-
-
-
-
-
-
20
25
30
10
2.7
mS
mS
mS
pF
pF
C
iss
C
rss
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| BF862,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 JFET N-CH 20V 10MA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
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