型号: | BFP540F |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 7/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | BFP540F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BFP540FE6327 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 4.5 V 80 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
BFP540FE6327XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT NPN 4.5V 0.08A 4-Pin TSFP T/R |
BFP540FESD | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor |
BFP540FESD_10 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor |
BFP540FESDE6327 | 功能描述:TRANS RF NPN 4.5V 80MA TSFP-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |