型号: | BFQ67TRL13 |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 96K |
代理商: | BFQ67TRL13 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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BFR106TRL | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
BFR106TRL13 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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BFS17 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
BFT93TRL13 | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BFQ67W | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
BFQ67W,115 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN 10V 50mA 8GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
BFQ67W,135 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Single NPN 10V 50mA 300mW 60 8GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
BFQ67W115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 10V 8GHZ |
BFQ67WT/R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-323 |