型号: | BFR30 |
厂商: | NXP Semiconductors N.V. |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | N-channel FET |
封装: | BFR30<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR30<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BF |
文件页数: | 4/13页 |
文件大小: | 271K |
代理商: | BFR30 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
BFR31 | N-channel FET |
BFR520T | NPN 9 GHz wideband transistor |
BFR520T | NPN 9 GHz wideband transistor |
BFR520T | NPN 9 GHz wideband transistor |
BFR520T | NPN 9 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
BFR30 T/R | 功能描述:射频双极小信号晶体管 N-CH 25V 10mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
BFR30,215 | 功能描述:JFET N-CH 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
BFR30,235 | 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel Single ’+/- 25V 10mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
BFR30LT1 | 功能描述:射频JFET晶体管 25V 10mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
BFR30LT1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:JFET Amplifier |