型号: | BFR30LT1 |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 1/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | BFR30LT1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BFR30LT1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:JFET Amplifier |
BFR30LT1G | 功能描述:射频JFET晶体管 25V 10mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
BFR30T/R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 4MA I(DSS) | SOT-23 |
BFR31 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bulk 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 25V 0.005A SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 25V, 0.005A, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 25V, 0.005A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5mA; Drain Source Voltage Vds:25V; Power Dissipation Pd:250mW; Operating Temperature Min:-65C; Operating Temperature Max:150C ;RoHS Compliant: Yes |
BFR31 T/R | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |