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参数资料
| 型号： | BFR520T |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | NPN 9 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFR520T<SOT416 (SC-75)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT416.html<1<week 17, 2003,; |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 272K |
| 代理商： | BFR520T |
2000 Apr 03
4
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFR520T
0
50
100
200
100
0
MGU068
150
Ptot
(mW)
Ts (
°
C)
150
200
50
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
MRC028
0
10
2
50
100
150
10
1
1
10
10
2
IC(mA)
hFE
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 6 V; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
(pF)
MRC021
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
2
4
6
8
10
CB
Fig.4
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values.
I
C
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
(GHz)
MRC022
0
2
4
6
8
10
1
10
100
IC(mA)
3 V
= 8 V
CE
V
Fig.5
Transition frequency as a function of
collector current; typical values.
f = 1 GHz; T
amb
= 25
C.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR520T | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR520T | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR520T | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR520T | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR520 | NPN 9 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFR520T,115 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN 20V 70mA 9GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR520T/R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SOT-23 |
| BFR53 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz wideband transistor |
| BFR53T/R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23 |
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