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参数资料
| 型号： | BFR93AR |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | NPN 6 GHz wideband transistor |
| 中文描述： | C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | BFR93AR |
BFR93AR_1
NXP B.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 30 November 2006
4 of 13
NXP Semiconductors
BFR93AR
NPN 6 GHz wideband transistor
L1 = L3 = 5
μ
H choke.
L2 = 3 turns 0.4 mm copper wire; winding pitch 1 mm; internal diameter 3 mm.
Fig 1.
Intermodulation distortion and second harmonic MATV test circuit
mbb251
18
1.5 nF
10 k
L2
L1
1 nF
75
input
270
1 nF
L3
1.5 nF
1 nF
0.68 pF
3.3 pF
DUT
75
output
+
V
CC
+
V
BB
V
CE
= 5 V; T
j
= 25
°
C.
DC current gain as a function of collector
current
Fig 2.
Power derating curve
Fig 3.
0
50
100
200
400
300
100
0
200
mra702
150
P
tot
(mW)
T
sp
(
°
C)
mcd087
0
10
20
30
120
0
40
80
h
FE
I
C
(mA)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR93AR | NPN 6 GHz wideband transistor |
| BFR93AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR93AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR93AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR93A | NPN 6 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFR93AR T/R | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR93AR,215 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR93AR-GS08 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:TRANS GP BJT NPN 12V 0.05A 3PIN SOT-23 - Tape and Reel |
| BFR93AR-T1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor |
| BFR93AR-T3 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor |
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