参数资料
型号: BFR93AW
厂商: NXP Semiconductors N.V.
元件分类: 晶体管
英文描述: NPN 5 GHz wideband transistor
封装: BFR93AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;BFR93AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;
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代理商: BFR93AW
1995 Sep 18
5
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistor
BFR93AW
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 5 V.
handbook, halfpage
0
10
20
30
0
40
80
MCD087
hFE
IC
Fig.4
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values.
I
C
= 0; f = 1 MHz.
0
1
0
MBG203
4
8
Cre
(pF)
0.8
0.6
0.4
0.2
12
16
VCB (V)
Fig.5
Transition frequency as a function
of collector current; typical values.
V
CE
= 5 V; f = 500 MHz; T
amb
= 25
C.
4
2
0
MBG204
6
10
2
10
1
fT
(GHz)
IC (mA)
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BFR93AW,115 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
BFR93AW,135 功能描述:射频双极小信号晶体管 Single NPN 12V 35mA 300mW 40 5GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
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