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参数资料
| 型号： | BFR94A |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 晶体管 |
| 英文描述： | NPN 5 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFR94A<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件页数： | 6/14页 |
| 文件大小： | 305K |
| 代理商： | BFR94A |
BFR94A
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 3 — 15 November 2010
6 of 14
NXP Semiconductors
BFR94A
NPN 5 GHz wideband transistor
I
C
= 5 mA; V
CE
= 10 V.
MSG = maximum stable gain.
G
max
= maximum available gain.
Gain as a function of frequency; typical values
I
C
= 5 mA; V
CE
= 10 V.
MSG = maximum stable gain.
G
max
= maximum available gain.
Minimum noise figure as a function of
frequency; typical values
Fig 8.
Fig 9.
I
C
= 4 mA; V
CE
= 10 V; f = 800 MHz.
Fig 10. Circles of constant noise figure; typical values
I
C
= 14 mA; V
CE
= 10 V; f = 800 MHz.
Fig 11. Circles of constant noise figure; typical values
f (MHz)
10
10
4
10
3
10
2
001aam890
20
30
10
40
50
gain
(dB)
0
G
UM
G
max
MSG
f (MHz)
10
10
4
10
3
10
2
001aam891
20
30
10
40
50
gain
(dB)
0
G
UM
G
max
MSG
G
S
(mS)
0
80
60
20
40
001aam892
0
20
20
40
B
S
(mS)
40
NF = 3.0 dB
2.5
2.0
1.8
1.7
G
S
(mS)
0
60
40
20
001aam893
10
10
30
B
S
(mS)
30
NF = 3.5 dB
3.0
2.5
2.4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR94A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR94A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFS520 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFS520 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFS520 | NPN 9 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFR94A,215 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Single NPN 5GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR94A,215-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BFR94 Series 20 V 5 GHz Wideband NPN Transistor - SOT23 |
| BFR94A_10 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR94AW,115 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Single NPN 5GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR94AW115 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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