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参数资料
| 型号： | BFS520 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 晶体管 |
| 英文描述： | NPN 9 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFS520<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;BFS520<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,; |
| 文件页数： | 2/13页 |
| 文件大小： | 263K |
| 代理商： | BFS520 |
September 1995
2
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFS520
FEATURES
High power gain
Low noise figure
High transition frequency
Gold metallization ensures
excellent reliability
SOT323 envelope.
DESCRIPTION
NPN transistor in a plastic SOT323
envelope.
It is intended for wideband
applications such as satellite TV
tuners, cellular phones, cordless
phones, pagers etc., with signal
frequencies up to 2 GHz.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
Code: N2
base
emitter
collector
1
2
3
Fig.1 SOT323.
handbook, 2 columns
3
1
2
MBC870
Top view
QUICK REFERENCE DATA
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector tab.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
60
TYP.
120
9
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CES
I
C
P
tot
h
FE
f
T
collector-base voltage
collector-emitter voltage
DC collector current
total power dissipation
DC current gain
transition frequency
open emitter
R
BE
= 0
20
15
70
300
250
V
V
mA
mW
up to T
s
= 118
C; note 1
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V; T
j
= 25
C
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V; f = 1 GHz;
T
amb
= 25
C
I
c
= 20 mA; V
CE
= 6 V; f = 900 MHz;
T
amb
= 25
C
I
c
= 5 mA; V
CE
= 6 V; f = 900 MHz;
T
amb
= 25
C
GHz
G
UM
maximum unilateral power gain
15
dB
F
noise figure
1.1
1.6
dB
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
DC collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
R
BE
= 0
open collector
65
20
15
2.5
70
300
150
175
V
V
V
mA
mW
C
C
up to T
s
= 118
C; note 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFS520 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFS520 | NPN 9 GHz wideband transistor |
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参数描述 |
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