参数资料
型号: BFS520
厂商: NXP Semiconductors N.V.
元件分类: 晶体管
英文描述: NPN 9 GHz wideband transistor
封装: BFS520<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;BFS520<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;
文件页数: 10/13页
文件大小: 263K
代理商: BFS520
September 1995
10
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFS520
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A1
max
bp
c
D
E
e1
HE
Lp
Q
w
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
mm
0.1
1.1
0.8
0.4
0.3
0.25
0.10
2.2
1.8
1.35
1.15
0.65
e
1.3
2.2
2.0
0.23
0.13
0.2
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
SOT323
SC-70
w
M
bp
D
e1
e
A
B
A1
Lp
Q
detail X
c
HE
E
v
M
A
A
B
y
0
1
2 mm
scale
A
X
1
2
3
Plastic surface-mounted package; 3 leads
SOT323
04-11-04
06-03-16
相关PDF资料
PDF描述
BFS520 NPN 9 GHz wideband transistor
BFS520 NPN 9 GHz wideband transistor
BFS540 NPN 9 GHz wideband transistor
BFS540 NPN 9 GHz wideband transistor
BFS540 NPN 9 GHz wideband transistor
相关代理商/技术参数
参数描述
BFS520,115 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN 70MA 15V 9GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
BFS520,135 功能描述:射频双极小信号晶体管 Single NPN 15V 70mA 300mW 60 9GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
BFS520T/R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SOT-323
BFS540 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT-323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 9GHZ, SOT-323
BFS540 T/R 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel