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参数资料
| 型号： | BFS520 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 晶体管 |
| 英文描述： | NPN 9 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFS520<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;BFS520<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,; |
| 文件页数： | 5/13页 |
| 文件大小： | 263K |
| 代理商： | BFS520 |
September 1995
5
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFS520
In Figs 6 to 9, G
UM
= maximum unilateral power gain;
MSG = maximum stable gain; G
max
= maximum available
gain.
Fig.6
Maximum unilateral power gain as a
function of collector current.
V
CE
= 6 V; f = 900 MHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
(dB)
MRC027
10
12
14
16
18
0
10
20
30
IC(mA)
3 V
= 6 V
CE
V
Fig.7 Gain as a function of collector current.
V
CE
= 6 V; f = 2 GHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
(dB)
MRC026
0
5
10
15
20
0
10
20
30
MSG
GUM
Gmax
IC(mA)
Fig.8 Gain as a function of frequency.
I
C
= 5 mA; V
CE
= 6 V; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
(dB)
MRC024
0
10
2
10
20
30
40
10
1
1
10
f (GHz)
MSG
GUM
Gmax
Fig.9 Gain as a function of frequency.
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
gain
(dB)
MRC025
0
10
2
10
20
30
40
10
1
1
10
f (GHz)
MSG
GUM
Gmax
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PDF描述 |
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