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参数资料
| 型号： | BFT46 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel FET |
| 封装： | BFT46<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 209K |
| 代理商： | BFT46 |
DATA SHEET
Product specification
December 1997
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BFT46
N-channel silicon FET
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFT92W | PNP 4 GHz wideband transistor |
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| BFT93W | PNP 4 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFT46 T/R | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BFT46,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BFT46 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR JFET N SOT-23 |
| BFT46/T1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR JFET SOT-23 |
| BFT46215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF JFET N CH 25V 1.5MA 3-SOT-23 |
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