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参数资料
| 型号： | BFU725F |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 晶体管 |
| 英文描述： | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| 封装： | BFU725F/N1<SOT343F (SOT343F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343F.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | BFU725F |
BFU725F_N1
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 3 November 2011
6 of 12
NXP Semiconductors
BFU725F/N1
NPN wideband silicon germanium RF transistor
f = 1 MHz, T
amb
= 25
C.
Collector-base capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values
V
CE
= 2 V; f = 2 GHz; T
amb
= 25
C.
Transition frequency as a function of collector
current; typical values
Fig 4.
Fig 5.
V
CE
= 2 V; T
amb
= 25
C.
(1) f = 1.5 GHz
(2) f = 1.8 GHz
(3) f = 2.4 GHz
(4) f = 5.8 GHz
(5) f = 12 GHz
Fig 6.
Gain as a function of collector current; typical value
001aah427
V
CB
(V)
0
12
8
4
80
40
120
160
C
CBS
(fF)
0
I
C
(mA)
0
40
30
10
20
001aak273
20
40
60
f
T
(GHz)
0
001aah429
I
C
(mA)
10
1
10
2
10
1
10
10
2
G
(dB)
1
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
MSG
MSG
G
max
G
max
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFU725F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| BFU725F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFU725F,115 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 RF NPN Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFU725F/N1 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| BFU725F/N1,115 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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| BFU725F_11 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband silicon germanium RF transistor |
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