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参数资料
| 型号： | BFU725F |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 晶体管 |
| 英文描述： | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| 封装： | BFU725F/N1<SOT343F (SOT343F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343F.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | BFU725F |
BFU725F_N1
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 3 November 2011
3 of 12
NXP Semiconductors
BFU725F/N1
NPN wideband silicon germanium RF transistor
5. Limiting values
Table 5.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
CBO
collector-base voltage
V
CEO
collector-emitter voltage
V
EBO
emitter-base voltage
I
C
collector current
P
tot
total power dissipation
T
stg
storage temperature
T
j
junction temperature
[1]
T
sp
is the temperature at the solder point of the emitter lead.
6. Thermal characteristics
Table 6.
Symbol
R
th(j-sp)
Limiting values
Conditions
open emitter
open base
open collector
Min
-
-
-
-
Max
10
2.8
1.0
40
136
+150
150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
T
sp
90
C
[1]
-
65
-
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction to solder point
Conditions
Typ
440
Unit
K/W
Fig 1.
Power derating curve
T
sp
(
°
C)
0
160
120
40
80
001aah424
100
50
150
200
P
tot
(mW)
0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFU725F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| BFU725F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| BFU725F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| BFU725F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| BFU725F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFU725F,115 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 RF NPN Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFU725F/N1 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| BFU725F/N1,115 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFU725F/N1,115-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BFU725 Series 2.8 V 18 dB Gain NPN Silicon Germanium RF Transistor - SOT-343F-4 |
| BFU725F_11 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband silicon germanium RF transistor |
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