型号: | BFU725F |
厂商: | NXP Semiconductors N.V. |
元件分类: | 晶体管 |
英文描述: | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
封装: | BFU725F/N1<SOT343F (DFP4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343F.html<1<Always Pb-free,; |
文件页数: | 12/12页 |
文件大小: | 136K |
代理商: | BFU725F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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BFU725F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
BFU725F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
BFU725F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
BFU725F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
BFU725F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BFU725F,115 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 RF NPN Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
BFU725F/N1 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband silicon germanium RF transistor |
BFU725F/N1,115 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
BFU725F/N1,115-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BFU725 Series 2.8 V 18 dB Gain NPN Silicon Germanium RF Transistor - SOT-343F-4 |
BFU725F_11 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband silicon germanium RF transistor |