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参数资料
| 型号： | BFU790F |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| 中文描述： | L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, FLATPAK-4 |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | BFU790F |
BFU790F
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 22 April 2011
5 of 12
NXP Semiconductors
BFU790F
NPN wideband silicon germanium RF transistor
T
amb
= 25
°
C.
(1) I
B
= 250
μ
A
(2) I
B
= 225
μ
A
(3) I
B
= 200
μ
A
(4) I
B
= 175
μ
A
(5) I
B
= 150
μ
A
(6) I
B
= 125
μ
A
(7) I
B
= 100
μ
A
(8) I
B
= 75
μ
A
(9) I
B
= 50
μ
A
Fig 2.
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= 2 V; T
amb
= 25
°
C.
Fig 3.
DC current gain as a function of collector
current; typical values
001aam873
V
CE
(V)
0
3
2
1
40
60
20
80
100
I
C
(mA)
0
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
I
C
(mA)
0
100
80
40
60
20
001aam874
200
300
100
400
500
h
FE
0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFU790F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| BFU790F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
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| BLT50 | UHF power transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFU790F,115 | 功能描述:射频硅锗晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极连续电流: 功率耗散: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| BFU790F,115-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BFU790 Series 2.8 V 19.5 dB Gain NPN Silicon Germanium RF Transistor-SOT-343F-4 |
| BFU790F115 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BF-U811 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SINGLE DIGIT LED DISPLAYS |
| BF-U811RD | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SINGLE DIGIT LED DISPLAYS |
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