型号: | BFYP99 |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 1/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | BFYP99 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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bg | 制造商:Eurostat 功能描述: 制造商:3M Electronic Products Division 功能描述:CROCODILE CLIP INSULATED 制造商:3M Electronic Products Division 功能描述:CROCODILE CLIP, INSULATED |
BG 20, 8 OHM | 制造商:Visaton GmbH & Co.KG 功能描述:Bulk |
BG 3123 E6327 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
BG 3123 H6327 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
BG 3123R E6327 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |